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第8章 芯片准备（第2页）

对于刚刚建立的大深市芯片产业公司，在台极电眼里几乎是不能再小的芯片设计公司，在芯片制造产能上，绝对延后再延后，

甚至是芯片正在生产过程中，一旦芯片设计巨头下了生产订单，就马上下线，优先供应制造芯片设计巨头公司。

…

李飞这样确定，是因为cmos工艺已经非常成熟了，

在1963年cmos工艺已经出现，只不过早期的cmos器件性能也较差，但由于cmos器件的功耗极低，集成度也高，用以制造数字LsI和VLsI集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题，

于是，在数字LsI和VLsI集成电路的制造中先得到广泛应用，并得到快展，特别是自2o世纪8o年代以来，更成为cpu、Ram、Rom等VLsI的主导制造工艺，在电脑芯片工艺应用上十分广泛。

由于cmos工艺具有电流小，抗干扰能力强，集成度高等一系列的优点，

各大芯片设计巨头公司开始在模拟芯片电路进行cmos工艺研究设计…，

而李飞利用重生前的芯片技术积累，用cmos工艺制造Fm芯片，可以说在Fm芯片市场上是非常先进的芯片工艺技术了！

那么，如果Fm芯片使用双极TTL晶体管工艺，在市场上没有优势了！最重要的是Fm芯片后续应用于汽车和手机，可能就没有技术优势了，因为汽车和手机的电磁干扰非常大，

于是，李飞亲自打电话给台极电专业负责客服工程电话，客气地说道：“你好，我是大深市芯片产业的工程师李飞，关于贵司的邮件告知我司的芯片流片还需要延迟，到底是什么原因？”

对方态度不友善地说道：“哦，你Fm芯片工艺要求是coms，可是目前Fm芯片主流可是双极TTL，”

李飞压住心中怒气，平和道：“现在芯片工艺主流是coms…，”

没等李飞把话说完，对方打断了，并轻蔑地说：“你们内地人不懂，芯片是高科技产品，和你说不清，简单地说，你的Fm芯片采用cmos工艺，是比较复杂，在芯片制造上工序比较多，所以，芯片流片时间需要延缓…”

李飞乐呵一笑，在本人面前谈论芯片制造工艺，你还嫩了一点，重生前，本人在英特尔是副总裁，负责英特尔的芯片设计和芯片制造，

...

同时，李飞从内心上，认为不必和这人一般见识，不必再继续说下去…，

但为了Fm芯片早点量产，早点让Fm芯片进入市场变现，李飞不得不展示芯片研实力，给一点颜色看看，让对方知道什么是研技术大神。但没有必要再客气了，就命令道：“你不要打断我说话！如我说得没有错的话，cmos工艺流程大概是这样的：

先是准备n型硅片，用以制造nmos和pmos晶体管。（注：netmos工艺基础上展起来的）

再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约o.6微米）的二氧化硅层，作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。

接着，光刻出nmos晶体管的p阱区和pmos晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。

在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成nmos晶体管的p阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如2o分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。

如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成nmos晶体管的源、漏区；

在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如2o分钟），该二氧化硅层用以制造nmos和pmos栅氧化区的的掩蔽层；

光刻出nmos和pmos晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如5oo纳米制程），”