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第049章 捅破一层窗户纸（第1页）

第一次进入清大光刻机车间，赵国庆有些激动，直接直奔主题，几个关键技术。

“何教授，你们这光刻机用的什么光源？”

“你还真懂光刻机啊！”

赵国庆笑了笑：“书上有介绍！”

何振华说：“用的高压汞灯光源，436纳米的蓝光汞g线，这类高压汞灯光源目前已经达到国际先进水平！”

好吧，国际先进水平，国际上十年前都已经开始研究波长更短的紫光激光电源了。

赵国庆想起kmbbf晶体，前世的他现kmbbf晶体在零下213摄氏度的时候，出现导现象。

就在他用x光穿透kmbbf晶体，想要检测kmbbf晶体的分子结构时，现进入导状态的kmbbf晶体，竟然可以反射x光。

这可是了不得的现。

x光因为有强大的穿透力，目前任何透镜都不能让他转移方向，而kmbbf晶体如果能让x光反射的话，可以通过凹面镜，缩小掩膜版的图像，对光刻机光源有着颠覆的变革。

可惜的事，现这件事后，没多久就挂了，没有再研究下去。

不过，现在，他有足够的时间继续这项研究。

何振华教授继续介绍，从口气中听出的，全部是遥遥领先。

“采用的是国际先进的非接触式透镜曝光方法，成像质量高，比起三年前h大制作的接触式曝光，可以显著提高掩膜版的使用寿命，并且透镜曝光可以以掩膜版比光刻图案5:1的比例，可以制造更复杂的芯片。”

赵国庆点点头，他虽然对光刻机算不上内行，但怎么也能说是见多识广。

inte1、ibm的芯片制造厂他都进去过，从九十年代一直到2o23年，国外光刻机一路演变，他还是清楚的。

“436纳米的蓝光汞g线光源，加上非接触式掩膜曝光工艺，理论上可以制造一微米制程的芯片！”

若采用多重曝光甚至可以制造5oo纳米制程的芯片，或者水膜浸润工艺，当然技术难度更高一些，极致可以制造25o纳米芯片，这些话没办法说。

至于用九十年代明的kbbf晶体升级极紫外光，还有双工台提升商用制造效率，现在还是没影的事。

能不能现在开始布局？

没说的，肯定要干啊！

赵国庆的问题，何振华教授没有回答，而赵国庆也现了一些问题。

“校准采用的是人工校准！”

光刻流程不是一步到位，有时候需要反复多次，所以再次光刻，位置如果有细微的改变，往往意味着制造失败，所以需要校准。

而校准的办法就是在晶片上留下一个标志，以这个标志来校正。

何振华摇摇头。

“国内最先进的魔都电机厂都没有合适的伺服电机，国内的光压传感器灵敏度不够，只能用人工校准，我们采用三轴人工校准装置，误差可以精确在一百纳米。”

赵国庆摇摇头，这台光刻机根本没有商业方面的使用前途，xyz三轴人工校准，虽然没看他们操作，时间上肯定不会短。

“光刻胶，蚀刻氟化氢……”

“进口日本的？”

“曝光用的透镜呢！”

“进口日本尼康！”

好吧，赵国庆大概也明白了。